IGBT，即绝缘栅双极性晶体管，是电子电力行业中的核心功率半导体器件。它由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）组成，是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
在电路中，IGBT充当电路开关，通过开关控制改变电压。它具有栅极G、集电极C和发射极E三个端口。栅极与发射极之间的电压决定IGBT的导通与关断。其主要用途包括变频、整流、变压、放大功率与功率控制等，是电子装置中电能转换与电路控制的核心。
IGBT兼具MOSFET和BJT两类器件的优势，具有驱动功率小而饱和压降低的特点。MOSFET具有高输入阻抗、低驱动功率和快速开关速度；而BJT则具有低饱和压降，更强调工作功率。IGBT综合了这两种器件的优点，性能优势显著。
在产业链方面，IGBT行业涵盖上游原材料供应、中游产品研发制造与封装，以及下游多元化应用市场。上游主要包括硅晶圆、光刻板等关键材料；中游涉及IGBT芯片的设计、研发、生产及封装，产品种类丰富，包括功率分立器件、功率IC等。
近年来，随着新能源行业的快速发展，IGBT市场迎来新的增长机遇。国家相关政策大力支持核心元器件国产化，推动功率半导体行业尤其是IGBT产业的健康快速发展。国内企业在IGBT领域的研发和应用正逐步加强，市场竞争日益激烈。
IGBT作为电力电子领域的核心，其技术发展与应用前景广阔，对推动电子设备的高效能源转换和控制具有重要意义。